Samsung Exynos 2200 vs Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3

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Samsung Exynos 2200

Samsung Exynos 2200与8内核和8 CPU线程一起运行。它在运行2.80 GHz基地1.82 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持4存储器通道以支持LPDDR5-6400 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-X2/-A710/-A510体系结构通过4 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2022

Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3

Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3与8内核和8 CPU线程一起运行。它在运行2.40 GHz基地1.50 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持LPDDR4X-4266LPDDR5-6400 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A78 / Cortex-A55体系结构通过6 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2022

Samsung Exynos 2200

Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3

Samsung Exynos 2200

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Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3

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比较细节

2.80 GHz	频率	2.40 GHz
8	核心数	8
2.80 GHz	Turbo（1核心）	2.40 GHz
1.82 GHz	Turbo（所有内核）	1.50 GHz
No	超线程	No
No	超频	No
hybrid (Prime / big.LITTLE)	核心架构	hybrid (big.LITTLE)
Samsung Xclipse 920 (RDNA 2)	GPU	Unknown
1.30 GHz	GPU（涡轮增压）	No turbo
4 nm	技术	6 nm
1.30 GHz	GPU（涡轮增压）	No turbo
	DirectX版本
0	最大限度。展示	0
LPDDR5-6400	记忆	LPDDR4X-4266LPDDR5-6400
4	记忆通道	2
	最大记忆体
No	ECC	No
--	L2 Cache	--
--	L3 Cache	--
	PCIe版本
	PCIe lanes
4 nm	技术	6 nm
N/A	插座	N/A
	贸易发展计划
None	虚拟化	None
Q1/2022	发布日期	Q1/2022
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。

Samsung Exynos 2200 1,193 (53%)

Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3 487 (22%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。

Samsung Exynos 2200 3,587 (7%)

Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3 1,895 (4%)

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Samsung Exynos 2200 1,423 (7%)

Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3 (0%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Samsung Exynos 2200		Qualcomm Snapdragon 7c Plus Gen 3
	Max TDP
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA