Samsung Exynos 5422 vs AMD G-T16R

返回首页

Samsung Exynos 5422

Samsung Exynos 5422与8内核和8 CPU线程一起运行。它在运行2.10 GHz基地1.40 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3e-933 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A15 / Cortex-A7体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2014

AMD G-T16R

AMD G-T16R与1内核和8 CPU线程一起运行。它在运行--基地--所有内核，而TDP设定在4 W 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本1.00 MB的L3高速缓存，支持1存储器通道以支持DDR3L-1066 SO-DIMM RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Ontario (Bobcat)体系结构通过40 nm技术进行了AMD-V 。该产品于Q1/2012

Samsung Exynos 5422

AMD G-T16R

Samsung Exynos 5422

在亚马逊查询价格

在Ebay上查看价格

在速卖通查询价格

AMD G-T16R

在亚马逊查询价格

在Ebay上查看价格

在速卖通查询价格

比较细节

2.10 GHz	频率	0.62 GHz
8	核心数	1
2.10 GHz	Turbo（1核心）	--
1.40 GHz	Turbo（所有内核）	--
No	超线程	No
No	超频	No
hybrid (big.LITTLE)	核心架构	normal
ARM Mali-T628 MP6	GPU	AMD Radeon HD 6250
No turbo	GPU（涡轮增压）	No turbo
28 nm	技术	40 nm
No turbo	GPU（涡轮增压）	No turbo
11	DirectX版本	11
1	最大限度。展示	2
LPDDR3e-933	记忆	DDR3L-1066 SO-DIMM
0	记忆通道	1
	最大记忆体
No	ECC	No
2.50 MB	L2 Cache	--
--	L3 Cache	1.00 MB
	PCIe版本
	PCIe lanes
28 nm	技术	40 nm
N/A	插座	N/A
	贸易发展计划	4 W
None	虚拟化	AMD-V
Q1/2014	发布日期	Q1/2012
显示更多数据		显示更多数据