Samsung Exynos 5422
Samsung Exynos 5422与8内核和8 CPU线程一起运行。它在运行2.10 GHz基地1.40 GHz所有内核，而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3e-933 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A15 / Cortex-A7体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2014
| 频率 | 2.10 GHz |
| CPU核心 | 8 |
| CPU线程 | 8 |
| Turbo（1核心） | 2.10 GHz |
| Turbo（ 8内核）： | 1.40 GHz |
| 超线程 | No  |
| 超频 | No |
| 核心架构 | hybrid (big.LITTLE) |
内存和PCIe
| 记忆类型 | LPDDR3e-933 |
| 最大记忆体 | |
| 记忆通道 | 0 |
| ECC | No |
| Bandwidth | -- |
| PCIe |
加密
| AES-NI | No |
内部图形
| 记忆类型 | LPDDR3e-933 |
| GPU名称 | ARM Mali-T628 MP6 |
| GPU频率 | 0.53 GHz |
| GPU（涡轮增压） | No turbo |
| 一代 | Midgard 2 |
| DirectX版本 | 11 |
| 执行单位 | 6 |
| 着色器 | 96 |
| 最大记忆体 | -- |
| 最大限度。展示 | 1 |
| 技术 | 28 nm |
| 发布日期 | Q4/2012 |
技术细节
| 指令集（ISA） | ARMv7-A32 (32 bit) |
| 建筑学 | Cortex-A15 / Cortex-A7 |
| L2-Cache | 2.50 MB |
| L3-Cache | -- |
| 技术 | 28 nm |
| 发布日期 | Q1/2014 |
| 插座 | N/A |
热管理
| TDP (PL1) | |
| TDP (PL2) | -- |
| TDP Up | -- |
| TDP Down | -- |
| Tjunction max | -- |
iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)
GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。
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106 (0%)
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106 (0%)
Samsung Exynos 5420
103 (0%)
Samsung Exynos 5422
103 (0%)
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103 (0%)
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103 (0%)
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