Qualcomm Snapdragon 810 v2
Qualcomm Snapdragon 810 v2与8内核和8 CPU线程一起运行。它在运行2.00 GHz基地1.50 GHz所有内核，而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持LPDDR4-1600 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A57 / Cortex-A53体系结构通过20 nm技术进行了None 。该产品于2015
| 频率 | 2.00 GHz |
| CPU核心 | 8 |
| CPU线程 | 8 |
| Turbo（1核心） | 2.00 GHz |
| Turbo（ 8内核）： | 1.50 GHz |
| 超线程 | No  |
| 超频 | No |
| 核心架构 | hybrid (big.LITTLE) |
内存和PCIe
| 记忆类型 | LPDDR4-1600 |
| 最大记忆体 | |
| 记忆通道 | 2 |
| ECC | No |
| Bandwidth | -- |
| PCIe |
加密
| AES-NI | No |
内部图形
| 记忆类型 | LPDDR4-1600 |
| GPU名称 | Qualcomm Adreno 430 |
| GPU频率 | 0.63 GHz |
| GPU（涡轮增压） | 0.63 GHz |
| 一代 | 4 |
| DirectX版本 | 11 |
| 执行单位 | 0 |
| 着色器 | 256 |
| 最大记忆体 | -- |
| 最大限度。展示 | 0 |
| 技术 | 20 nm |
| 发布日期 | Q2/2014 |
技术细节
| 指令集（ISA） | ARMv8-A64 (64 bit) |
| 建筑学 | Cortex-A57 / Cortex-A53 |
| L2-Cache | -- |
| L3-Cache | -- |
| 技术 | 20 nm |
| 发布日期 | 2015 |
| 插座 | N/A |
热管理
| TDP (PL1) | |
| TDP (PL2) | -- |
| TDP Up | -- |
| TDP Down | -- |
| Tjunction max | -- |
Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。
Intel Atom x6200FE
240 (11%)
AMD A6-3400M
237 (10%)
Samsung Exynos 7884
235 (10%)
Qualcomm Snapdragon 810 v2
234 (10%)
Qualcomm Snapdragon 810
234 (10%)
Intel Pentium T2370
233 (10%)
Intel Pentium N3710
232 (10%)
Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。
AMD A4-6300
704 (1%)
Intel Celeron J1900
704 (1%)
AMD Athlon II X2 220
700 (1%)
Qualcomm Snapdragon 810 v2
698 (1%)
Qualcomm Snapdragon 810
698 (1%)
AMD A8-7150B
695 (1%)
AMD Athlon II X2 235e
690 (1%)
iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)
GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。
AMD A10-7300
410 (2%)
AMD A10-7350B
410 (2%)
Apple A11 Bionic
410 (2%)
Qualcomm Snapdragon 810 v2
409 (2%)
Qualcomm Snapdragon 820 Lite
408 (2%)
Intel Pentium Gold G6500T
404 (2%)
Intel Core i5-8365UE
404 (2%)
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