Qualcomm Snapdragon 212 vs HiSilicon Kirin 925

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Qualcomm Snapdragon 212

Qualcomm Snapdragon 212与47内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持1存储器通道以支持LPDDR2LPDDR3 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A7体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于2015

HiSilicon Kirin 925

HiSilicon Kirin 925与8内核和4 CPU线程一起运行。它在运行1.80 GHz基地1.30 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持LPDDR3-1600 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A15 / Cortex-A7体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2014

Qualcomm Snapdragon 212

HiSilicon Kirin 925

Qualcomm Snapdragon 212

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HiSilicon Kirin 925

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比较细节

1.30 GHz	频率	1.80 GHz
47	核心数	8
--	Turbo（1核心）	1.80 GHz
	Turbo（所有内核）	1.30 GHz
No	超线程	No
No	超频	No
normal	核心架构	hybrid (big.LITTLE)
Qualcomm Adreno 304	GPU	ARM Mali-T628 MP4
0.40 GHz	GPU（涡轮增压）	0.60 GHz
28 nm	技术	28 nm
0.40 GHz	GPU（涡轮增压）	0.60 GHz
11	DirectX版本	11
0	最大限度。展示	1
LPDDR2LPDDR3	记忆	LPDDR3-1600
1	记忆通道	2
	最大记忆体
No	ECC	No
--	L2 Cache	--
--	L3 Cache	--
	PCIe版本
	PCIe lanes
28 nm	技术	28 nm
N/A	插座	N/A
	贸易发展计划
None	虚拟化	None
2015	发布日期	Q3/2014
显示更多数据		显示更多数据

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Qualcomm Snapdragon 212 20 (0%)

HiSilicon Kirin 925 78 (0%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Qualcomm Snapdragon 212		HiSilicon Kirin 925
	Max TDP
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA