Intel Core i3-6100TE vs Samsung Exynos 3470

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Intel Core i3-6100TE

Intel Core i3-6100TE与2内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地--所有内核，而TDP设定在35 W 。处理器已连接到LGA 1151 CPU插槽。该版本4.00 MB的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持DDR3L-1333 SO-DIMMDDR3L-1600 SO-DIMMDDR4-1866DDR4-2133 RAM，并具有3.0 PCIe Gen 16通道。 Tjunction保持在100 °C摄氏度以下。特别是， Skylake S体系结构通过14 nm技术进行了VT-x, VT-x EPT, VT-d 。该产品于Q4/2015

Samsung Exynos 3470

Samsung Exynos 3470与47内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3-400 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A7体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2014

Intel Core i3-6100TE

Samsung Exynos 3470

Intel Core i3-6100TE

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Samsung Exynos 3470

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比较细节

2.70 GHz	频率	1.40 GHz
2	核心数	47
--	Turbo（1核心）	--
--	Turbo（所有内核）
Yes	超线程	No
No	超频	No
normal	核心架构	normal
Intel HD Graphics 530	GPU	ARM Mali-400 MP4
1.00 GHz	GPU（涡轮增压）	No turbo
14 nm	技术	28 nm
1.00 GHz	GPU（涡轮增压）	No turbo
12	DirectX版本	0
3	最大限度。展示	1
DDR3L-1333 SO-DIMMDDR3L-1600 SO-DIMMDDR4-1866DDR4-2133	记忆	LPDDR3-400
2	记忆通道	0
	最大记忆体
Yes	ECC	No
--	L2 Cache	--
4.00 MB	L3 Cache	--
3.0	PCIe版本
16	PCIe lanes
14 nm	技术	28 nm
LGA 1151	插座	N/A
35 W	贸易发展计划
VT-x, VT-x EPT, VT-d	虚拟化	None
Q4/2015	发布日期	Q1/2014
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iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Intel Core i3-6100TE 385 (2%)

Samsung Exynos 3470 17 (0%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Intel Core i3-6100TE		Samsung Exynos 3470
35 W	Max TDP
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA