Samsung Exynos 7570
Samsung Exynos 7570与453内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3-1066 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A53体系结构通过14 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2016
| 频率 | 1.40 GHz |
| CPU核心 | 453 |
| CPU线程 | 4 |
| Turbo（1核心） | -- |
| Turbo（ 453内核）： |
| 超线程 | No  |
| 超频 | No |
| 核心架构 | normal |
内存和PCIe
| 记忆类型 | LPDDR3-1066 |
| 最大记忆体 | |
| 记忆通道 | 0 |
| ECC | No |
| Bandwidth | -- |
| PCIe |
加密
| AES-NI | No |
内部图形
| 记忆类型 | LPDDR3-1066 |
| GPU名称 | ARM Mali-T720 MP1 |
| GPU频率 | 0.60 GHz |
| GPU（涡轮增压） | 0.60 GHz |
| 一代 | Midgard 3 |
| DirectX版本 | 11 |
| 执行单位 | 1 |
| 着色器 | 16 |
| 最大记忆体 | -- |
| 最大限度。展示 | 2 |
| 技术 | 14 nm |
| 发布日期 | Q4/2013 |
技术细节
| 指令集（ISA） | ARMv8-A64 (64 bit) |
| 建筑学 | Cortex-A53 |
| L2-Cache | 1.00 MB |
| L3-Cache | -- |
| 技术 | 14 nm |
| 发布日期 | Q3/2016 |
| 插座 | N/A |
热管理
| TDP (PL1) | |
| TDP (PL2) | -- |
| TDP Up | -- |
| TDP Down | -- |
| Tjunction max | -- |
Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。
MediaTek MT6592
104 (5%)
HiSilicon Kirin 620
103 (5%)
MediaTek MT8167A
103 (5%)
Samsung Exynos 7570
102 (5%)
AMD G-T44R
102 (5%)
MediaTek MT8735
96 (4%)
MediaTek MT8392
96 (4%)
Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。
MediaTek MT6592
335 (1%)
MediaTek MT6595
335 (1%)
MediaTek MT6595M
335 (1%)
Samsung Exynos 7570
332 (1%)
MediaTek MT8392
331 (1%)
Intel Celeron 847
330 (1%)
Intel Pentium D 915
324 (1%)
iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)
GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。
MediaTek MT6589T
12 (0%)
MediaTek MT8389T
12 (0%)
MediaTek MT6739
11 (0%)
Samsung Exynos 7570
11 (0%)
Samsung Exynos 3475
11 (0%)
Samsung Exynos 7270
11 (0%)
Samsung Exynos 4210
10 (0%)
流行比较
Samsung Exynos 7570 vs
Intel Pentium 957
Apple M1 vs
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HiSilicon Kirin 955 vs
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Samsung Exynos 7570 vs
Intel Core i5-4422E
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