Samsung Exynos 7570 vs Intel Core i5-4422E

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Samsung Exynos 7570

Samsung Exynos 7570与453内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3-1066 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A53体系结构通过14 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2016

Intel Core i5-4422E

Intel Core i5-4422E与2内核和4 CPU线程一起运行。它在运行2.90 GHz基地--所有内核，而TDP设定在25 W 。处理器已连接到BGA 1364 CPU插槽。该版本3.00 MB的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持DDR3L-1333 SO-DIMMDDR3L-1600 SO-DIMM RAM，并具有3.0 PCIe Gen 16通道。 Tjunction保持在100 °C摄氏度以下。特别是， Haswell S体系结构通过22 nm技术进行了VT-x, VT-x EPT, VT-d 。该产品于Q2/2014

Samsung Exynos 7570

Intel Core i5-4422E

Samsung Exynos 7570

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Intel Core i5-4422E

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比较细节

1.40 GHz	频率	1.80 GHz
453	核心数	2
--	Turbo（1核心）	2.90 GHz
	Turbo（所有内核）	--
No	超线程	Yes
No	超频	No
normal	核心架构	normal
ARM Mali-T720 MP1	GPU	Intel HD Graphics 4600
0.60 GHz	GPU（涡轮增压）	0.90 GHz
14 nm	技术	22 nm
0.60 GHz	GPU（涡轮增压）	0.90 GHz
11	DirectX版本	11.1
2	最大限度。展示	3
LPDDR3-1066	记忆	DDR3L-1333 SO-DIMMDDR3L-1600 SO-DIMM
0	记忆通道	2
	最大记忆体
No	ECC	Yes
1.00 MB	L2 Cache	--
--	L3 Cache	3.00 MB
	PCIe版本	3.0
	PCIe lanes	16
14 nm	技术	22 nm
N/A	插座	BGA 1364
	贸易发展计划	25 W
None	虚拟化	VT-x, VT-x EPT, VT-d
Q3/2016	发布日期	Q2/2014
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。

Samsung Exynos 7570 102 (5%)

Intel Core i5-4422E (0%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。

Samsung Exynos 7570 332 (1%)

Intel Core i5-4422E (0%)

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Samsung Exynos 7570 11 (0%)

Intel Core i5-4422E 289 (1%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Samsung Exynos 7570		Intel Core i5-4422E
	Max TDP	25 W
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA