Qualcomm Snapdragon 650 vs Qualcomm Snapdragon 430

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Qualcomm Snapdragon 650

Qualcomm Snapdragon 650与6内核和6 CPU线程一起运行。它在运行1.80 GHz基地1.40 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持LPDDR3-933 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A72 / Cortex-A53体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2016

Qualcomm Snapdragon 430

Qualcomm Snapdragon 430与853内核和6 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持1存储器通道以支持LPDDR3-800 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A53体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q2/2016

Qualcomm Snapdragon 650

Qualcomm Snapdragon 430

Qualcomm Snapdragon 650

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Qualcomm Snapdragon 430

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比较细节

1.80 GHz	频率	1.40 GHz
6	核心数	853
1.80 GHz	Turbo（1核心）	--
1.40 GHz	Turbo（所有内核）
No	超线程	No
No	超频	No
hybrid (big.LITTLE)	核心架构	normal
Qualcomm Adreno 510	GPU	Qualcomm Adreno 505
0.60 GHz	GPU（涡轮增压）	0.45 GHz
28 nm	技术	28 nm
0.60 GHz	GPU（涡轮增压）	0.45 GHz
11	DirectX版本	11
0	最大限度。展示	0
LPDDR3-933	记忆	LPDDR3-800
2	记忆通道	1
	最大记忆体
No	ECC	No
--	L2 Cache	--
--	L3 Cache	--
	PCIe版本
	PCIe lanes
28 nm	技术	28 nm
N/A	插座	N/A
	贸易发展计划
None	虚拟化	None
Q1/2016	发布日期	Q2/2016
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。

Qualcomm Snapdragon 650 251 (11%)

Qualcomm Snapdragon 430 121 (5%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。

Qualcomm Snapdragon 650 804 (2%)

Qualcomm Snapdragon 430 421 (1%)

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Qualcomm Snapdragon 650 155 (1%)

Qualcomm Snapdragon 430 23 (0%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Qualcomm Snapdragon 650		Qualcomm Snapdragon 430
	Max TDP
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA