Qualcomm Snapdragon 425 | Qualcomm Snapdragon 430 | |
Max TDP | ||
NA | 每天耗电量(kWh) | NA |
NA | 每天的运行成本 | NA |
NA | 每年耗电量(kWh) | NA |
NA | 每年的运行成本 | NA |
Qualcomm Snapdragon 425 vs Qualcomm Snapdragon 430
Qualcomm Snapdragon 425与453内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核,而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存,支持1存储器通道以支持LPDDR3-667 RAM,并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是, Cortex-A53体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2016
Qualcomm Snapdragon 430与853内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核,而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存,支持1存储器通道以支持LPDDR3-800 RAM,并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是, Cortex-A53体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q2/2016
Qualcomm Snapdragon 425
Qualcomm Snapdragon 430
比较细节
1.40 GHz | 频率 | 1.40 GHz |
453 | 核心数 | 853 |
-- | Turbo(1核心) | -- |
Turbo(所有内核) | ||
No | 超线程 | No |
No | 超频 | No |
normal | 核心架构 | normal |
Qualcomm Adreno 308 | GPU | Qualcomm Adreno 505 |
0.50 GHz | GPU(涡轮增压) | 0.45 GHz |
28 nm | 技术 | 28 nm |
0.50 GHz | GPU(涡轮增压) | 0.45 GHz |
11 | DirectX版本 | 11 |
0 | 最大限度。展示 | 0 |
LPDDR3-667 | 记忆 | LPDDR3-800 |
1 | 记忆通道 | 1 |
最大记忆体 | ||
No | ECC | No |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
PCIe版本 | ||
PCIe lanes | ||
28 nm | 技术 | 28 nm |
N/A | 插座 | N/A |
贸易发展计划 | ||
None | 虚拟化 | None |
Q3/2016 | 发布日期 | Q2/2016 |
Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试,大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核,核的数量或超线程能力不计算在内。
Qualcomm Snapdragon 425
117 (5%)
Qualcomm Snapdragon 430
121 (5%)
Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试,大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核,并具有超线程的巨大优势。
Qualcomm Snapdragon 425
377 (1%)
Qualcomm Snapdragon 430
421 (1%)
iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)
GFLOPS中具有简单精度(32位)的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。
Qualcomm Snapdragon 425
25 (0%)
Qualcomm Snapdragon 430
23 (0%)
用电量估算
用电量估算
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Qualcomm Snapdragon 425
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Qualcomm Snapdragon 430
Qualcomm Snapdragon 430 vs
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Samsung Exynos 3250
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