Samsung Exynos 5250 vs Intel Core i3-4110E

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Samsung Exynos 5250

Samsung Exynos 5250与215内核和2 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3-800 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A15体系结构通过32 nm技术进行了None 。该产品于Q4/2011

Intel Core i3-4110E

Intel Core i3-4110E与2内核和2 CPU线程一起运行。它在运行--基地--所有内核，而TDP设定在37 W 。处理器已连接到BGA 1364 CPU插槽。该版本3.00 MB的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持DDR3L-1333 SO-DIMMDDR3L-1600 SO-DIMM RAM，并具有3.0 PCIe Gen 16通道。 Tjunction保持在100 °C摄氏度以下。特别是， Haswell S体系结构通过22 nm技术进行了VT-x, VT-x EPT, VT-d 。该产品于Q2/2014

Samsung Exynos 5250

Intel Core i3-4110E

Samsung Exynos 5250

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Intel Core i3-4110E

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比较细节

1.70 GHz	频率	2.60 GHz
215	核心数	2
--	Turbo（1核心）	--
	Turbo（所有内核）	--
No	超线程	Yes
No	超频	No
normal	核心架构	normal
ARM Mali-T604 MP4	GPU	Intel HD Graphics 4600
0.53 GHz	GPU（涡轮增压）	0.90 GHz
32 nm	技术	22 nm
0.53 GHz	GPU（涡轮增压）	0.90 GHz
11	DirectX版本	11.1
1	最大限度。展示	3
LPDDR3-800	记忆	DDR3L-1333 SO-DIMMDDR3L-1600 SO-DIMM
0	记忆通道	2
	最大记忆体
No	ECC	Yes
1.00 MB	L2 Cache	--
--	L3 Cache	3.00 MB
	PCIe版本	3.0
	PCIe lanes	16
32 nm	技术	22 nm
N/A	插座	BGA 1364
	贸易发展计划	37 W
None	虚拟化	VT-x, VT-x EPT, VT-d
Q4/2011	发布日期	Q2/2014
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iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Samsung Exynos 5250 18 (0%)

Intel Core i3-4110E 289 (1%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Samsung Exynos 5250		Intel Core i3-4110E
	Max TDP	37 W
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA