Qualcomm Snapdragon 821 vs Samsung Exynos 7578

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Qualcomm Snapdragon 821

Qualcomm Snapdragon 821与4内核和4 CPU线程一起运行。它在运行2.40 GHz基地1.60 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持4存储器通道以支持LPDDR4-1866 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Kryo体系结构通过14 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2016

Samsung Exynos 7578

Samsung Exynos 7578与453内核和4 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3-1066 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A53体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q2/2015

Qualcomm Snapdragon 821

Samsung Exynos 7578

Qualcomm Snapdragon 821

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Samsung Exynos 7578

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比较细节

2.40 GHz	频率	1.50 GHz
4	核心数	453
2.40 GHz	Turbo（1核心）	--
1.60 GHz	Turbo（所有内核）
No	超线程	No
No	超频	No
hybrid (big.LITTLE)	核心架构	normal
Qualcomm Adreno 530	GPU	ARM Mali-T720 MP2
0.62 GHz	GPU（涡轮增压）	0.65 GHz
14 nm	技术	28 nm
0.62 GHz	GPU（涡轮增压）	0.65 GHz
11,1	DirectX版本	11
0	最大限度。展示	2
LPDDR4-1866	记忆	LPDDR3-1066
4	记忆通道	0
	最大记忆体
No	ECC	No
--	L2 Cache	--
--	L3 Cache	--
	PCIe版本
	PCIe lanes
14 nm	技术	28 nm
N/A	插座	N/A
	贸易发展计划
None	虚拟化	None
Q3/2016	发布日期	Q2/2015
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。

Qualcomm Snapdragon 821 306 (14%)

Samsung Exynos 7578 (0%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。

Qualcomm Snapdragon 821 787 (2%)

Samsung Exynos 7578 (0%)

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Qualcomm Snapdragon 821 477 (2%)

Samsung Exynos 7578 23 (0%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Qualcomm Snapdragon 821		Samsung Exynos 7578
	Max TDP
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA