| Qualcomm Snapdragon 821 | Qualcomm Snapdragon 820 | |
| Max TDP | ||
| NA | 每天耗电量（kWh） | NA |
| NA | 每天的运行成本 | NA |
| NA | 每年耗电量（kWh） | NA |
| NA | 每年的运行成本 | NA |
Qualcomm Snapdragon 821 vs Qualcomm Snapdragon 820
Qualcomm Snapdragon 821与4内核和4 CPU线程一起运行。它在运行2.40 GHz基地1.60 GHz所有内核，而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持4存储器通道以支持LPDDR4-1866 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Kryo体系结构通过14 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2016
Qualcomm Snapdragon 820与4内核和4 CPU线程一起运行。它在运行2.15 GHz基地1.60 GHz所有内核，而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持4存储器通道以支持LPDDR4-1866 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Kryo体系结构通过14 nm技术进行了None 。该产品于Q4/2015
Qualcomm Snapdragon 821
Qualcomm Snapdragon 820
比较细节
| 2.40 GHz | 频率 | 2.15 GHz |
| 4 | 核心数 | 4 |
| 2.40 GHz | Turbo（1核心） | 2.15 GHz |
| 1.60 GHz | Turbo（所有内核） | 1.60 GHz |
 No |
超线程 | No |
| No |
超频 | No |
| hybrid (big.LITTLE) | 核心架构 | hybrid (big.LITTLE) |
| Qualcomm Adreno 530 | GPU | Qualcomm Adreno 530 |
| 0.62 GHz | GPU（涡轮增压） | 0.62 GHz |
| 14 nm | 技术 | 14 nm |
| 0.62 GHz | GPU（涡轮增压） | 0.62 GHz |
| 11,1 | DirectX版本 | 11,1 |
| 0 | 最大限度。展示 | 0 |
| LPDDR4-1866 | 记忆 | LPDDR4-1866 |
| 4 | 记忆通道 | 4 |
| 最大记忆体 | ||
| No |
ECC | No |
| -- | L2 Cache | -- |
| -- | L3 Cache | -- |
| PCIe版本 | ||
| PCIe lanes | ||
| 14 nm | 技术 | 14 nm |
| N/A | 插座 | N/A |
| 贸易发展计划 | ||
| None | 虚拟化 | None |
| Q3/2016 | 发布日期 | Q4/2015 |
Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。
Qualcomm Snapdragon 821
306 (14%)
Qualcomm Snapdragon 820
300 (13%)
Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。
Qualcomm Snapdragon 821
787 (2%)
Qualcomm Snapdragon 820
774 (2%)
iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)
GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。
Qualcomm Snapdragon 821
477 (2%)
Qualcomm Snapdragon 820
477 (2%)
用电量估算
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