Qualcomm Snapdragon 821 vs Intel Xeon E3-1271 v3

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Qualcomm Snapdragon 821

Qualcomm Snapdragon 821与4内核和4 CPU线程一起运行。它在运行2.40 GHz基地1.60 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持4存储器通道以支持LPDDR4-1866 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Kryo体系结构通过14 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2016

Intel Xeon E3-1271 v3

Intel Xeon E3-1271 v3与4内核和4 CPU线程一起运行。它在运行4.00 GHz基地--所有内核，而TDP设定在80 W 。处理器已连接到LGA 1150 CPU插槽。该版本8.00 MB的L3高速缓存，支持2存储器通道以支持DDR3-1600DDR3L-1600 SO-DIMM RAM，并具有3.0 PCIe Gen 16通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Haswell S体系结构通过22 nm技术进行了VT-x, VT-x EPT, VT-d 。该产品于Q2/2014

Qualcomm Snapdragon 821

Intel Xeon E3-1271 v3

Qualcomm Snapdragon 821

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Intel Xeon E3-1271 v3

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比较细节

2.40 GHz	频率	3.60 GHz
4	核心数	4
2.40 GHz	Turbo（1核心）	4.00 GHz
1.60 GHz	Turbo（所有内核）	--
No	超线程	Yes
No	超频	No
hybrid (big.LITTLE)	核心架构	normal
Qualcomm Adreno 530	GPU	no iGPU
0.62 GHz	GPU（涡轮增压）	No turbo
14 nm	技术	22 nm
0.62 GHz	GPU（涡轮增压）	No turbo
11,1	DirectX版本
0	最大限度。展示
LPDDR4-1866	记忆	DDR3-1600DDR3L-1600 SO-DIMM
4	记忆通道	2
	最大记忆体
No	ECC	Yes
--	L2 Cache	--
--	L3 Cache	8.00 MB
	PCIe版本	3.0
	PCIe lanes	16
14 nm	技术	22 nm
N/A	插座	LGA 1150
	贸易发展计划	80 W
None	虚拟化	VT-x, VT-x EPT, VT-d
Q3/2016	发布日期	Q2/2014
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。

Qualcomm Snapdragon 821 306 (14%)

Intel Xeon E3-1271 v3 1,038 (46%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。

Qualcomm Snapdragon 821 787 (2%)

Intel Xeon E3-1271 v3 3,862 (8%)

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

Qualcomm Snapdragon 821 477 (2%)

Intel Xeon E3-1271 v3 (0%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

Qualcomm Snapdragon 821		Intel Xeon E3-1271 v3
	Max TDP	80 W
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA