AMD E1 Micro-6200T vs Samsung Exynos 5430

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AMD E1 Micro-6200T

AMD E1 Micro-6200T与2内核和2 CPU线程一起运行。它在运行1.40 GHz基地1.40 GHz所有内核，而TDP设定在4 W 。处理器已连接到BGA 769 CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持1存储器通道以支持DDR3L RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Unknown体系结构通过技术进行了Unknown 。该产品于Q2/2014

Samsung Exynos 5430

Samsung Exynos 5430与8内核和2 CPU线程一起运行。它在运行2.00 GHz基地1.40 GHz所有内核，而TDP设定在。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持0存储器通道以支持LPDDR3e-1066 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A15 / Cortex-A7体系结构通过20 nm技术进行了None 。该产品于Q3/2014

AMD E1 Micro-6200T

Samsung Exynos 5430

AMD E1 Micro-6200T

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Samsung Exynos 5430

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比较细节

1.00 GHz	频率	2.00 GHz
2	核心数	8
1.40 GHz	Turbo（1核心）	2.00 GHz
1.40 GHz	Turbo（所有内核）	1.40 GHz
No	超线程	No
No	超频	No
normal	核心架构	hybrid (big.LITTLE)
AMD Radeon R2 (Beema)	GPU	ARM Mali-T628 MP6
No turbo	GPU（涡轮增压）	0.60 GHz
	技术	20 nm
No turbo	GPU（涡轮增压）	0.60 GHz
	DirectX版本	11
2	最大限度。展示	1
DDR3L	记忆	LPDDR3e-1066
1	记忆通道	0
	最大记忆体
No	ECC	No
1.00 MB	L2 Cache	2.50 MB
--	L3 Cache	--
	PCIe版本
	PCIe lanes
	技术	20 nm
BGA 769	插座	N/A
4 W	贸易发展计划
Unknown	虚拟化	None
Q2/2014	发布日期	Q3/2014
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。

AMD E1 Micro-6200T 152 (7%)

Samsung Exynos 5430 (0%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。

AMD E1 Micro-6200T 269 (1%)

Samsung Exynos 5430 (0%)

iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)

GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。

AMD E1 Micro-6200T 91 (0%)

Samsung Exynos 5430 116 (1%)

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

用电量估算

每天平均使用时间

平均CPU使用率（0-100％）

电力成本，每千瓦时美元

AMD E1 Micro-6200T		Samsung Exynos 5430
4 W	Max TDP
NA	每天耗电量（kWh）	NA
NA	每天的运行成本	NA
NA	每年耗电量（kWh）	NA
NA	每年的运行成本	NA