| AMD G-T40R | HiSilicon Kirin 620 | |
| 5.5 W | Max TDP | |
| NA | 每天耗电量（kWh） | NA |
| NA | 每天的运行成本 | NA |
| NA | 每年耗电量（kWh） | NA |
| NA | 每年的运行成本 | NA |
AMD G-T40R vs HiSilicon Kirin 620
AMD G-T40R与1内核和1 CPU线程一起运行。它在运行--基地--所有内核，而TDP设定在5.5 W 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本1.00 MB的L3高速缓存，支持1存储器通道以支持DDR3L-1066 SO-DIMM RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Ontario (Bobcat)体系结构通过40 nm技术进行了AMD-V 。该产品于Q1/2011
HiSilicon Kirin 620与453内核和1 CPU线程一起运行。它在运行--基地所有内核，而TDP设定在 。处理器已连接到N/A CPU插槽。该版本--的L3高速缓存，支持1存储器通道以支持LPDDR3 RAM，并具有 PCIe Gen 通道。 Tjunction保持在--摄氏度以下。特别是， Cortex-A53体系结构通过28 nm技术进行了None 。该产品于Q1/2015
AMD G-T40R
HiSilicon Kirin 620
比较细节
| 1.00 GHz | 频率 | 1.20 GHz |
| 1 | 核心数 | 453 |
| -- | Turbo（1核心） | -- |
| -- | Turbo（所有内核） | |
 No |
超线程 | No |
| No |
超频 | No |
| normal | 核心架构 | normal |
| AMD Radeon HD 6250 | GPU | ARM Mali-450 MP4 |
| No turbo | GPU（涡轮增压） | 0.53 GHz |
| 40 nm | 技术 | 28 nm |
| No turbo | GPU（涡轮增压） | 0.53 GHz |
| 11 | DirectX版本 | 0 |
| 2 | 最大限度。展示 | 1 |
| DDR3L-1066 SO-DIMM | 记忆 | LPDDR3 |
| 1 | 记忆通道 | 1 |
| 最大记忆体 | ||
| No |
ECC | No |
| -- | L2 Cache | -- |
| 1.00 MB | L3 Cache | -- |
| PCIe版本 | ||
| PCIe lanes | ||
| 40 nm | 技术 | 28 nm |
| N/A | 插座 | N/A |
| 5.5 W | 贸易发展计划 | |
| AMD-V | 虚拟化 | None |
| Q1/2011 | 发布日期 | Q1/2015 |
Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。单核测试仅使用一个CPU核，核的数量或超线程能力不计算在内。
AMD G-T40R
(0%)
HiSilicon Kirin 620
103 (5%)
Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5是一个跨平台基准测试，大量使用系统内存。快速的记忆将大大推动结果。多核测试涉及所有CPU核，并具有超线程的巨大优势。
AMD G-T40R
(0%)
HiSilicon Kirin 620
506 (1%)
iGPU - FP32 Performance (Single-precision GFLOPS)
GFLOPS中具有简单精度（32位）的处理器内部图形单元的理论计算性能。 GFLOPS表示iGPU每秒可以执行多少亿个浮点运算。
AMD G-T40R
46 (0%)
HiSilicon Kirin 620
33 (0%)
用电量估算
用电量估算
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