Qualcomm Snapdragon 835
Qualcomm Snapdragon 835 은 8 코어 및 8 CPU 스레드로 작동합니다. 설정되어있는 동안 2.45 GHz 기본 1.90 GHz 모든 코어에서 실행됩니다.프로세서는 N/A CPU 소켓에 연결되어 있습니다. 이 버전은 -- 의 L3 캐시를 포함하고, LPDDR4X-1866 RAM을 지원하기 위해 2 PCIe Gen 레인을 제공합니다. Tjunction -- 도 이하로 유지됩니다. 특히 Kryo 280 아키텍처는 10 nm 기술로 None 지원합니다. 제품이 Q2/2017
| 회수 | 2.45 GHz |
| CPU 코어 | 8 |
| CPU 스레드 | 8 |
| 터보 (1 코어) | 2.45 GHz |
| 터보 ( 8 코어) : | 1.90 GHz |
| 하이퍼 스레딩 | No  |
| 오버 클러킹 | No |
| 핵심 아키텍처 | hybrid (big.LITTLE) |
메모리 및 PCIe
| 메모리 유형 | LPDDR4X-1866 |
| 최대 메모리 | |
| 메모리 채널 | 2 |
| ECC | No |
| Bandwidth | -- |
| PCIe |
암호화
| AES-NI | No |
내부 그래픽
| 메모리 유형 | LPDDR4X-1866 |
| GPU 이름 | Qualcomm Adreno 540 |
| GPU 주파수 | 0.71 GHz |
| GPU (터보) | 0.71 GHz |
| 세대 | 5 |
| DirectX 버전 | 11.1 |
| 실행 단위 | 0 |
| 셰이더 | 384 |
| 최대 메모리 | -- |
| 맥스. 디스플레이 | 0 |
| 과학 기술 | 10 nm |
| 출시일 | Q1/2017 |
기술적 세부 사항
| 명령 세트 (ISA) | ARMv8-A64 (64 bit) |
| 건축물 | Kryo 280 |
| L2-Cache | -- |
| L3-Cache | -- |
| 과학 기술 | 10 nm |
| 출시일 | Q2/2017 |
| 소켓 | N/A |
열 관리
| TDP (PL1) | |
| TDP (PL2) | -- |
| TDP Up | -- |
| TDP Down | -- |
| Tjunction max | -- |
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Geekbench 5는 시스템 메모리를 많이 사용하는 교차 플랫폼 벤치 마크입니다. 빠른 메모리는 결과를 많이 밀어냅니다. 단일 코어 테스트는 하나의 CPU 코어 만 사용하며 코어 수 또는 하이퍼 스레딩 기능은 포함되지 않습니다.
Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5는 시스템 메모리를 많이 사용하는 교차 플랫폼 벤치 마크입니다. 빠른 메모리는 결과를 많이 밀어냅니다. 멀티 코어 테스트는 모든 CPU 코어를 포함하며 하이퍼 스레딩의 큰 장점을 활용합니다.
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