| Intel Xeon Gold 5317 | Intel Xeon E7-2880 v2 | |
| 150 W | Max TDP | 130 W |
| NA | Consumo de energía por día (kWh) | NA |
| NA | Coste corriente por día | NA |
| NA | Consumo de energía por año (kWh) | NA |
| NA | Costo de funcionamiento por año | NA |
Intel Xeon Gold 5317 vs Intel Xeon E7-2880 v2
El Intel Xeon Gold 5317 opera con 12 núcleos y 24 subprocesos de CPU. Se ejecuta en 3.60 GHz base 3.40 GHz todos los núcleos mientras que el TDP se establece en 150 W .El procesador está conectado al LGA 4189 CPU LGA 4189. Esta versión incluye 18.00 MB de caché L3 en un chip, admite canales de 8 DDR4-2933 y cuenta con 4.0 PCIe Gen 64 . Tjunction mantiene por debajo de -- grados C. En particular, Ice Lake arquitectura se mejora con la 10 nm y es compatible con la VT-x, VT-x EPT, VT-d . El producto se lanzó el Q2/2021
El Intel Xeon E7-2880 v2 opera con 15 núcleos y 24 subprocesos de CPU. Se ejecuta en 3.10 GHz base 3.10 GHz todos los núcleos mientras que el TDP se establece en 130 W .El procesador está conectado al LGA 2011 CPU LGA 2011. Esta versión incluye 38.00 MB de caché L3 en un chip, admite canales de 4 DDR3-1600 y cuenta con PCIe Gen . Tjunction mantiene por debajo de -- grados C. En particular, Ivy Bridge EX arquitectura se mejora con la 22 nm y es compatible con la VT-x, VT-x EPT, VT-d . El producto se lanzó el Q1/2014
Intel Xeon Gold 5317
Intel Xeon E7-2880 v2
Comparar detalle
| 3.00 GHz | Frecuencia | 2.50 GHz |
| 12 | Núcleos | 15 |
| 3.60 GHz | Turbo (1 núcleo) | 3.10 GHz |
| 3.40 GHz | Turbo (todos los núcleos) | 3.10 GHz |
 Yes |
Hyperthreading | Yes |
 No |
Overclocking | No |
| normal | Arquitectura del núcleo | normal |
| no iGPU | GPU | no iGPU |
| No turbo | GPU (Turbo) | No turbo |
| 10 nm | Tecnología | 22 nm |
| No turbo | GPU (Turbo) | No turbo |
| Versión de DirectX | ||
| Max. muestra | ||
| DDR4-2933 | Memoria | DDR3-1600 |
| 8 | Canales de memoria | 4 |
| Memoria máxima | ||
| Yes |
ECC | Yes |
| -- | L2 Cache | -- |
| 18.00 MB | L3 Cache | 38.00 MB |
| 4.0 | Versión PCIe | |
| 64 | PCIe lanes | |
| 10 nm | Tecnología | 22 nm |
| LGA 4189 | Enchufe | LGA 2011 |
| 150 W | TDP | 130 W |
| VT-x, VT-x EPT, VT-d | Virtualización | VT-x, VT-x EPT, VT-d |
| Q2/2021 | Fecha de lanzamiento | Q1/2014 |
Estimación de uso eléctrico
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